Kioxia ประกาศเปิดตัว SSD ซีรีส์ KIOXIA GP1 ที่มีความเร็ว IOPS สูงเป็นพิเศษสำหรับการใช้งานด้านปัญญาประดิษฐ์ (AI)

SSD แบบ PCIe^Ⓡ 6.0 SSD ทำความเร็วทะลุ 10 ล้าน IOPS โดยใช้หน่วยความจำแฟลช KIOXIA XL-FLASH™

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–04 สิงหาคม 2026

Kioxia Corporation วันนี้ประกาศเปิดตัว SSD ซีรีส์ KIOXIA GP1 Series PCIe^® 6.0 NVMe™ โดยถือเป็นผลิตภัณฑ์แรกในซีรีส์ KIOXIA GP ซึ่งเป็นกลุ่ม SSD ที่มีความเร็ว IOPS สูงเป็นพิเศษซึ่งได้รับการปรับแต่งมาเพื่อให้ GPU สามารถเข้าถึงข้อมูลได้โดยตรง ผลิตภัณฑ์นี้พัฒนาต่อยอดมาจากเทคโนโลยีในซีรีส์ KIOXIA GP ที่ได้เผยโฉมไปเมื่อช่วงต้นปีที่ผ่านมา¹ โดยซีรีส์ KIOXIA GP1 นี้ สามารถทำความเร็วในการอ่านข้อมูลแบบสุ่มได้สูงสุดถึง 10 ล้าน IOPS² ด้วยการเลือกใช้หน่วยความจำแฟลช KIOXIA XL-FLASH™ รุ่นที่ 2 ซึ่งช่วยให้สามารถขยายหน่วยความจำในรูปแบบแฟลช เพื่อตอบสนองความต้องการด้านประสิทธิภาพและขนาดหน่วยความจำที่เพิ่มสูงขึ้นอย่างต่อเนื่องของโครงสร้างพื้นฐานด้าน AI ทั้งนี้ผลิตภัณฑ์ตัวอย่างสำหรับทดสอบจะพร้อมส่งมอบให้แก่กลุ่มลูกค้าที่ได้รับคัดเลือกภายในสิ้นปี 2026 นี้³ ซีรีส์ KIOXIA GP1 จะจัดแสดงในงาน FMS: the Future of Memory and Storage ซึ่งจัดขึ้นระหว่างวันที่ 4 – 6 สิงหาคม ณ เมืองซานตาคลารา รัฐแคลิฟอร์เนีย

ซีรีส์ KIOXIA GP1 ได้รับการออกแบบมาเพื่อรองรับสถาปัตยกรรมการจัดเก็บข้อมูลแบบ AI รุ่นใหม่ ซึ่งจะเข้ามาช่วยขยายขีดความสามารถของหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM) โดยทำหน้าที่เป็นชั้นเก็บข้อมูลความเร็วสูงในรูปแบบหน่วยความจำแฟลช แนวทางนี้ช่วยให้ระบบ AI สามารถเข้าถึงชุดข้อมูลที่มีขนาดใหญ่ขึ้นได้ด้วยต้นทุนที่ต่ำลงกว่าเดิมอย่างมากเมื่อเทียบกับการเพิ่มหน่วยความจำ HBM แบบเดิม⁴ อีกทั้งยังช่วยเพิ่มประสิทธิภาพในการทำงานของ GPU ให้ดียิ่งขึ้นอีกด้วย

SSD ซีรีส์ KIOXIA GP1 ใช้ประโยชน์จากหน่วยความจำแฟลช KIOXIA XL-FLASH รุ่นที่ 2 ซึ่งมีความหน่วงต่ำแต่มีประสิทธิภาพสูง เพื่อมอบความเร็ว IOPS ที่สูงขึ้นอย่างเห็นได้ชัด⁴ รองรับการเข้าถึงข้อมูลขนาดเล็กในระดับ 512 บิต และมีอัตราการบริโภคพลังงานต่อการรับส่งข้อมูล (I/O) ที่ต่ำลงเมื่อเทียบกับ SSD ที่ใช้หน่วยความจำแบบ TLC ทั่วไป ทั้งนี้สถาปัตยกรรมดังกล่าวได้รับการออกแบบมาเพื่อรองรับการขยายขีดความสามารถจากความเร็วในการอ่านข้อมูลแบบสุ่มที่ 10 ล้าน IOPS ในปัจจุบันไปสู่รุ่นที่จะตามมาในอนาคตซึ่งตั้งเป้าหมายไว้สูงสุดถึง 100 ล้าน IOPS

คุณสมบัติเด่นของซีรีส์ KIOXIA GP1:

•  ออกแบบตามมาตรฐานข้อกำหนด PCIe^® 6.0 และ NVMe™ 2.2
• ใช้ประโยชน์จากหน่วยความจำแฟลช KIOXIA XL-FLASH รุ่นที่ 2 ซึ่งมีความหน่วงต่ำ
•  ทำความเร็วในการอ่านข้อมูลแบบสุ่มได้สูงสุดถึง 10 ล้าน IOPS ที่ขนาดบล็อกข้อมูล 512 ไบต์²
• พร้อมจำหน่ายในรูปแบบขนาด E3.S และ E1.S (9.5 มม./15 มม.) โดยในขนาด E3.S และ E1.S (9.5 มม.) จะรองรับระบบระบายความร้อนด้วยของเหลวแบบแผ่นนำความเย็น (ขนาดอื่น ๆ ทั้งหมดจะรองรับการระบายความร้อนด้วยอากาศแบบเดิม)
•  มีความทนทานในการเขียนข้อมูลสูงถึง 50 DWPD⁵

หมายเหตุ:

1: Kioxia ประกาศเปิดตัว SSD รุ่นใหม่ที่ได้รับการปรับแต่งมาสำหรับประมวลผลเวิร์กโหลดที่เริ่มทำงานโดย GPU ของระบบ AI
 ( https://www.kioxia.com/en-jp/business/news/2026/20260317-1.html )

2: ความเร็วในการอ่านและการเขียนข้อมูลอาจแตกต่างกันไป โดยขึ้นอยู่กับปัจจัยต่าง ๆ เช่น อุปกรณ์โฮสต์ ซอฟต์แวร์ (ไดรเวอร์ ระบบปฏิบัติการ ฯลฯ) และเงื่อนไขในการอ่าน/การเขียนข้อมูล

3: ผลิตภัณฑ์ตัวอย่างเหล่านี้มีวัตถุประสงค์เพื่อใช้ในการตรวจสอบฟังก์ชันการทำงานเท่านั้น โดยคุณลักษณะเฉพาะของผลิตภัณฑ์ตัวอย่างอาจแตกต่างไปจากรุ่นที่ผลิตเพื่อวางจำหน่ายจริง

4: ข้อมูล ณ วันที่ 28 กรกฎาคม 2026 อ้างอิงจากข้อมูลที่สำรวจโดย Kioxia

5: DWPD: Drive Writes Per Day (จำนวนครั้งที่เขียนข้อมูลได้เต็มความจุของไดรฟ์ต่อวัน) การเขียนข้อมูลเต็มไดรฟ์หนึ่งครั้งต่อวันหมายความว่าไดรฟ์นั้นสามารถเขียนและเขียนซ้ำจนเต็มความจุได้วันละหนึ่งครั้งในทุก ๆ วัน ภายใต้เวิร์กโหลดที่กำหนดตลอดอายุการใช้งานที่ระบุ ทั้งนี้ผลลัพธ์ที่แท้จริงอาจแตกต่างกันไปเนื่องจากโครงสร้างระบบ การใช้งาน และปัจจัยอื่น ๆ

นิยามความจุ: Kioxia Corporation นิยามว่า 1 เมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์, 1 กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และ 1 เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุพื้นที่จัดเก็บข้อมูลโดยใช้เลขฐาน 2 ซึ่งกำหนดให้ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ จึงทำให้แสดงความจุพื้นที่จัดเก็บข้อมูลน้อยลง ทั้งนี้ความจุพื้นที่จัดเก็บข้อมูลที่ใช้งานได้จริง (รวมถึงตัวอย่างไฟล์สื่อต่าง ๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การฟอร์แมต การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งมาล่วงหน้า หรือเนื้อหาของสื่อนั้น ๆ โดยความจุจริงหลังจากการฟอร์แมตอาจแตกต่างออกไปได้

NVMe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนหรือไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ

PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทอื่น ๆ

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ โดยมุ่งมั่นพัฒนา ผลิต และจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชรวมถึงโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัทต้นแบบอย่าง Toshiba Memory ได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทผู้คิดค้นหน่วยความจำแฟลชแบบ NAND ขึ้นเป็นครั้งแรกในปี 1987 ทั้งนี้ Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกใบนี้ด้วย “หน่วยความจำ” ผ่านการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบต่าง ๆ ซึ่งช่วยสร้างทางเลือกให้แก่ลูกค้า ควบคู่ไปกับการสร้างคุณค่าให้แก่สังคมโดยมีเทคโนโลยีหน่วยความจำเป็นรากฐาน นอกจากนี้ นวัตกรรมเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังเป็นตัวกำหนดทิศทางแห่งอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในรูปแบบการใช้งานที่มีความหนาแน่นของข้อมูลสูง ซึ่งรวมถึงสมาร์ตโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบปัญญาประดิษฐ์เชิงสร้างสรรค์ (Generative AI)

*ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาผลิตภัณฑ์ คุณลักษณะเฉพาะ เนื้อหาของการบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ ซึ่งอาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20260803241004/en

Contacts

ช่องทางการสอบถามข้อมูลของสื่อมวลชน:
Kioxia Corporation
Promotion Management Division
Satoshi Shindo
โทร: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation