Featured
Toshiba ได้เริ่มจัดส่งตัวอย่างทดสอบของทรานซิสเตอร์ MOSFET ชนิด SiC เกตแบบร่องขนาด 1200V ที่จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพในศูนย์ข้อมูล AI รุ่นใหม่
คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–21 พฤษภาคม 2026 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เริ่มจัดส่งตัวอย่างทดสอบของ “TW007D120E” ซึ่งเป็น MOSFET ชนิด SiC เกตแบบร่องขนาด 1200V ที่ออกแบบมาเพื่อใช้ในระบบจ่ายไฟสำหรับศูนย์ข้อมูล AI รุ่นใหม่เป็นหลัก และยังเหมาะสำหรับใช้ในอุปกรณ์ที่เกี่ยวข้องกับพลังงานหมุนเวียนด้วย Toshiba: TW007D120E, ทรานซิสเตอร์ MOSFET ชนิด SiC เกตแบบร่องขนาด 1200 โวลต์ ด้วยการขยายตัวอย่างรวดเร็วของ AI [...]