Kioxia เปิดตัวอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว QLC UFS 4.1 สำหรับการจัดเก็บข้อมูลแบบพกพาความจุสูง
เทคโนโลยี BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ที่จะมอบประสิทธิภาพและการประหยัดพลังงานที่เหนือกว่า โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–28 มกราคม 2026 Kioxia Corporation เป็นบริษัทผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ได้ประกาศในวันนี้ว่าได้เริ่มทำการทดสอบตัวอย่างหน่วยความจำแฟลชอเนกประสงค์1 (UFS) เวอร์ชัน 4.1 รุ่นใหม่ ที่ใช้เทคโนโลยีเซลล์สี่ระดับ (QLC) ความละเอียด 4 บิตต่อเซลล์ โดยอุปกรณ์ใหม่นี้ได้รับการออกแบบมาสำหรับแอปพลิเคชันที่เน้นการอ่านข้อมูลและความต้องการพื้นที่จัดเก็บข้อมูลความจุสูง โดยใช้เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติ BiCS FLASHTM รุ่นที่ 8 ของ Kioxia อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว QLC […]