การเพิ่ม 1200V ของ Toshiba ในกลุ่มผลิตภัณฑ์ไดโอด SiC Schottky Barrier รุ่นที่สามจะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพสูงในอุปกรณ์ไฟฟ้าทางอุตสาหกรรม
คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–25 กันยายน 2024 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เพิ่มผลิตภัณฑ์ 1200V ในซีรี่ย์ “TRSxxx120Hx ” เข้าในกลุ่มผลิตภัณฑ์ไดโอด Schottky Barrier (SBD) ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เจเนอเรชันที่ 3 (third-generation) สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น อินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ สถานีชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า และอุปกรณ์จ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง เมื่อวันนี้ Toshiba ได้เริ่มจัดส่งผลิตภัณฑ์ใหม่ 10 […]