Toshiba เปิดตัว Power MOSFET ชนิด N-Channel ขนาด 80V โดยใช้กระบวนการผลิตเจเนอเรชันล่าสุด เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในศูนย์ข้อมูลปัญญาประดิษฐ์ (AI)
เมืองคาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–30 มิถุนายน 2026 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) เปิดตัว “ TPM1R408RH” Power MOSFET ชนิด N-Channel ขนาด 80V ที่ผลิตด้วยเทคโนโลยี U-MOS11-H ซึ่งเป็นกระบวนการผลิตเจเนอเรชันล่าสุดของ Toshiba[1] MOSFET รุ่นนี้มุ่งเน้นการใช้งานในอุปกรณ์ต่าง ๆ เช่น แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมดสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลปัญญาประดิษฐ์และสถานีฐานระบบสื่อสารโทรคมนาคม โดยเริ่มจัดส่งสินค้าตั้งแต่วันนี้เป็นต้นไป Toshiba: Power MOSFET ชนิด […]