Toshiba เปิดตัว SiC MOSFETs รุ่นที่ 3 ขนาด 650V ในแพ็กเกจ TOLL
– 3 อุปกรณ์ใหม่ที่ช่วยยกระดับประสิทธิภาพ และความหนาแน่นพลังงานของอุปกรณ์อุตสาหกรรม – คาวาซิกิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–28 สิงหาคม 2025 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) เปิดตัว SiC MOSFETs ขนาด 650V จำนวน 3 ตัวที่มาพร้อมเทคโนโลยีล่าสุด[1] ชิป SiC MOSFET รุ่นที่ 3ในแพ็กเกจ TOLL แบบติดตั้งบนพื้นผิว อุปกรณ์รุ่นใหม่ที่เหมาะกับเครื่องจักรอุตสาหกรรม เช่น แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์และตัวปรับกำลังไฟสำหรับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์ […]