Toshiba เริ่มจัดส่งตัวอย่างขั้นทดสอบของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) 1200V แบบดายเปลือยที่มีความต้านทานขณะทำงานต่ำและมีความเสถียรสูงสำหรับใช้ในอินเวอร์เตอร์ฉุดลากยานยนต์
คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–12 พฤศจิกายน 2024 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (หรือ Toshiba) ได้พัฒนา “X5M007E120” ซึ่งเป็น MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) 1200V แบบดายเปลือย[1] สำหรับอินเวอร์เตอร์ฉุดลากยานยนต์ [2] พร้อมโครงสร้างที่เป็นนวัตกรรมใหม่ที่ให้ความต้านทานขณะทำงานต่ำและให้ความเสถียรสูง โดยได้มีการจัดส่งตัวอย่างขั้นทดสอบเพื่อให้ลูกค้าประเมินแล้วในขณะนี้ Toshiba: X5M007E120 ซึ่งเป็น MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) 1200V แบบดายเปลือยสำหรับอินเวอร์เตอร์ฉุดลากยานยนต์ พร้อมโครงสร้างที่เป็นนวัตกรรมใหม่ที่ให้ความต้านทานขณะทำงานต่ำและให้ความเสถียรสูง (กราฟิก: […]