Toshiba Memory Corporation เปิดตัวหน่วยความจำแฟลช UFS เวอร์ชัน 3.0 เป็นรายแรกในตลาด

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–23 มกราคม 2562

Toshiba Memory Corporation ผู้นำด้านโซลูชันหน่วยความจำระดับโลก ประกาศจัดส่งตัวอย่างผลิตภัณฑ์ [1] ที่เป็นรายแรกของอุตสาหกรรม [2] อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS เวอร์ชัน 3.0[3] ผลิตภัณฑ์กลุ่มใหม่นี้ใช้เทคโนโลยี BiCS FLASH™ 96 ชั้น แบบ 3D ที่มีความล้ำสมัย ซึ่งเป็นเทคโนโลยีของบริษัทเอง มาในความจุสามขนาด ได้แก่ 128 กิกะไบต์ 256 กิกะไบต์ และ 512 กิกะไบต์[4] และด้วยประสิทธิภาพในการอ่าน/เขียนข้อมูลด้วยความเร็วสูงและไม่กินไฟ ผลิตภัณฑ์รุ่นใหม่นี้จึงเหมาะกับการใช้งานกับอุปกรณ์เคลื่อนที่ สมาร์ทโฟน แท็บเลต และอุปกรณ์ระบบ AR และ VR

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20190122006030/en/

Toshiba Memory Corporation: Industry's First UFS Ver. 3.0 Embedded Flash Memory Devices (Photo: Busi ...

Toshiba Memory Corporation: อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS เวอร์ชัน 3.0 ชิ้นแรกของอุตสาหกรรม (รูปภาพ: Business Wire)

อุปกรณ์ชิ้นใหม่นี้ประกอบด้วยหน่วยความจำแบบ BiCS FLASH™ 96 ชั้น แบบ 3D และตัวควบคุมในแพ็คเกจขนาด 11.5 x 13.0มม. ตามมาตรฐาน JEDEC ตัวควบคุมมีหน้าที่แก้ไขข้อผิดพลาด ค่าเสื่อมของแบตเตอรี่ แปลที่อยู่ทางตรรกะเป็นที่อยู่ทางกายภาพ และจัดการบล็อคที่ไม่ดีเพื่อการพัฒนาระบบที่ไม่ซับซ้อน

อุปกรณ์ทั้งสามชิ้นสามารถใช้ได้กับ JEDEC UFS เวอร์ชัน 3.0 รวมถึง HS-GEAR4 ซึ่งมีความเร็วอินเตอร์เฟสทางทฤษฎีสูงสุด 11.6 กิกะบิตต่อเลน (2 เลน = 23.2 กิกะบิต) ขณะที่สนับสนุนคุณสมบัติอื่น ๆ ที่ทำให้อุปกรณ์ไม่กินไฟเพิ่มมากขึ้น ประสิทธิภาพในการอ่านและเขียนข้อมูลตามลำดับของอุปกรณ์ที่มีความจุ 512 กิกะไบต์ เพิ่มขึ้นประมาณร้อยละ 70 และร้อยละ 80 ตามลำดับ เมื่อเทียบกับอุปกรณ์ในเจเนอเรชันก่อนหน้า[5]

* ชื่อของบริษัท ผลิตภัณฑ์ และบริการอื่น ๆ ที่กล่าวถึงในที่นี้อาจเป็นเครื่องหมายทางการค้าของบริษัทนั้น ๆ

หมายเหตุ

[1] การจัดส่งอุปกรณ์ตัวอย่างขนาด 128 กิกะไบต์ มีกำหนดเริ่มวันนี้ ตามด้วยกลุ่มผลิตภัณฑ์ที่เหลือหลังจากเดือนมีนาคม ข้อมูลจำเพาะของตัวอย่างอาจต่างจากผลิตภัณฑ์ที่ผลิตเพื่อจำหน่ายจริง

[2] ที่มา: Toshiba Memory Corporation ข้อมูลสิ้นสุดเมื่อวันที่ 23 มกราคม 2562

[3] Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับคลาสของผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบฝังที่สร้างขึ้นตามข้อกำหนดมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากมีอินเตอร์เฟสแบบอนุกรม UFS จึงรอบรับการสื่อสารข้อมูลแบบสองทาง ซึ่งทำให้การอ่านและเขียนข้อมูลระหว่างหน่วยประมวลผลของโฮสต์และอุปกรณ์ UFS สามารถทำพร้อมกันได้

[4] ความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์ถูกระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่จำนวนความจุหน่วยความจำในอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลโดยผู้ใช้ปลายทาง ความจุที่ผู้บริโภคสามารถใช้ได้จะลดลงเนื่องจากพื้นที่ที่ข้อมูลที่สงวนไว้สำหรับข้อมูลที่ติดตั้งไว้แล้ว การฟอร์แมต บล็อกที่ไม่ดี และข้อจำกัดอื่น ๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และแอปพลิเคชัน สำหรับรายละเอียดอื่น ๆ โปรดอ้างอิงจากข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง กำหนดให้ 1 กิกะไบต์ = 230 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์

[5] เปรียบเทียบกับอุปกรณ์รุ่น “THGAF8T1T83BAIR” ขนาดความจุ 256 กิกะไบต์ ของ Toshiba Memory Corporation

ข้อมูลติดต่อสำหรับลูกค้า:
Toshiba Memory Corporation
ฝ่ายวางแผนการขาย
โทร: +81-3-6478-2423
https://business.toshiba-memory.com/en-jp/contact.html

ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูล ณ ปัจจุบันในวันที่ประกาศ และอาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ดูเวอร์ชันต้นฉบับที่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20190122006030/en/

ข้อมูลติดต่อสำหรับสื่อ:
Toshiba Memory Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404

Be the first to comment

Leave a Reply

Your email address will not be published.


*


Protected with IP Blacklist CloudIP Blacklist Cloud