โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–26 มกราคม 2018
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ประกาศในวันนี้ถึงการพัฒนา "TaRF10" ซึ่งเป็นกระบวนการที่ทันสมัยสำหรับ TarfSOITM (Toshiba advanced RF SOI [1]) แอมพลิฟายเออร์ที่ก่อเสียงรบกวนต่ำ เหมาะสำหรับการใช้งานกับสมาร์ทโฟน (LNA)
ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีคุณลักษณะเป็นมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: http://www.businesswire.com/news/home/20180125006449/en/
Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.: รูปแบบของ TaRF 10 ที่ประกอบเข้ากันแบบ LNA (รูปภาพ: Business Wire)
ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมาความเร็วในการสื่อสารข้อมูลแบบพกพาที่เพิ่มขึ้นได้ขยายการใช้สวิตช์และตัวกรอง RF ในส่วนหน้าแบบอะนาล็อกของโทรศัพท์มือถือ ผลทำให้เกิดสัญญาณขาดหายระหว่างเสาอากาศและวงจรรับสัญญาณมากขึ้นซึ่งทำให้ความไวในการรับสัญญาณลดลง จึงมีการให้ความสำคัญกับ LNA ที่มีสัญญาณรบกวนต่ำ[2] (NF) เพื่อชดเชยการสูญเสียสัญญาณและปรับปรุงความสมบูรณ์ของสัญญาณที่ได้รับมา
Toshiba Electronic Devices & Storage ได้ใช้กระบวนการ TaRF10 แบบใหม่ในการพัฒนาต้นแบบ LNA ที่จำกัดเสียงรบกวนอย่างยอดเยี่ยมอยู่ที่ 0.72dB และ ทำให้ได้ความดังระดับ [3] 16.9dB ที่ความถี่ 1.8GHz
อุปกรณ์แบบพกพาใช้สวิตช์ RF และ LNA จำนวนมากในวงจรรับสัญญาณทำให้ต้องลดขนาดวงจรเพื่อลดการใช้พื้นที่ของบอร์ด ปัจจุบันนี้ LNAs ใช้ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ที่ทำจาก ซิลิคอน – เจอร์เมเนียม – คาร์บอน (SiGe: C) และเป็นเรื่องยากที่จะผสมผสาน LNAs และ RF สวิทช์ที่สร้างขึ้นด้วยกระบวนการที่แตกต่างกันบนชิปเดียวกัน
กระบวนการ TaRF10 ใหม่สามารถรวม LNAs วงจรควบคุมและสวิตช์ RF ไว้บนชิปตัวเดียวเนื่องจากสามารถใช้งานร่วมกับกระบวนการ TaRF8 และ TaRF9 สำหรับสวิตช์ RF ซึ่งมีคุณสมบัติเด่นในด้าน RF ทั้งนี้ TaRF9 ทำให้การสูญเสียที่เกิดจากการแทรกของสัญญาณทและความผิดเพี้ยนของสัญญาณที่ต่ำกว่าของ TaRF8 ขณะนี้ Toshiba Electronic Devices & Storage มีแผนจะนำ LNAs สู่ตลาดพร้อมสวิตช์ RF แบบบูรณาการ
Toshiba Electronic Devices & Storageได้พัฒนาไอซี RFโดยใช้บริษัทในเครือได้แก่ Japan Semiconductor Corporation เพื่อใช้เทคโนโลยี SOI-CMOS ล่าสุดและให้อำนาจในการจัดการด้านการผลิตทั้งหมดตั้งแต่การพัฒนาเทคโนโลยีกระบวนการ RF จนถึงการออกแบบและการผลิตเพื่อเปิดจัวผลิตภัณฑ์
เพื่อตอบสนองความต้องการของตลาดยุคหน้าสำหรับสมาร์ทโฟน 5G บริษัทจะยังคงปรับปรุงลักษณะของกระบวนการ TarfSOITM ต่อไปและพัฒนา ไอซี RFด้วยเทคโนโลยีที่ทันสมัย
|
ตารางที่ 1. ข้อมูลจำเพาะหลักของ LNA |
||||||
|
โหมด |
LNA ใช้กระบวนการ TaRF 10 |
หน่วย |
||||
|
ขนาดชิป |
– |
0.70×0.43 |
Mm |
|||
|
ความถี่ |
– |
1.8 |
GHz |
|||
|
ซัพพลายโวลเตจ |
– |
1.8 |
V |
|||
|
กระแสซัพพลาย |
โหมดเกน |
7.4 |
mA |
|||
|
โหมดบายพาส |
50 |
μA |
||||
|
คอนโทรลโวลเตจ |
โหมดเกน |
1.8 |
V |
|||
|
โหมดบายพาส |
0 |
V |
||||
|
เกน |
โหมดเกน |
16.9 |
dB |
|||
|
โหมดบายพาส |
-1.6 |
dB |
||||
|
NF |
โหมดเกน |
0.72 |
dB |
|||
|
รีเทิร์นลอส (อิน) |
โหมดเกน |
8.4 |
dB |
|||
|
รีเทิร์นลอส (เอาท์) |
โหมดเกน |
12.1 |
dB |
|||
|
รีเวิรฺสไอโซเลชัน |
โหมดเกน |
26.5 |
dB |
|||
|
IP1dB |
โหมดเกน |
-8.9 |
dBm |
|||
|
IIP3 |
โหมดเกน |
4.3 |
dBm |
|||
Notes:
[1] TarfSOITM (RF SOI ขั้นสูงของ Toshiba): SOI-CMOS (เซมิคอนดักเตอร์ซิลิคอนบนตัวฉนวนเสริมที่เป็นเอกลักษณ์ของเมทัลออกไซด์) ด้านหน้า
[2] อัตราเสียงรบกวน: อัตราส่วนของอัตราส่วนสัญญาณต่อเสียงรบกวนที่เอาท์พุทต่อ อัตราส่วนสัญญาณต่อเสียงรบกวนที่อินพุท อัตราเสียงที่ต่ำกว่าหมายถึงเครื่องขยายเสียงมีเสียงรบกวนที่ต่ำกว่าจึงดีกว่า
[3 เกน: อัตราส่วนของกำลังขาออกของเครื่องขยายเสียงกับกำลังขาเข้าในหน่วย dB
* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์เนื้อหาบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
Customer Inquiries:
Small Signal Device Sales & Marketing Department
Tel: +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) รวมความแข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่ได้รับการเปิดตัวจากบริษัทโตชิบาในเดือนกรกฎาคม 2017 เราได้ก้าวเข้ามาเป็นหนึ่งในบริษัทอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้แก่ลูกค้า และคู่ค้าทางธุรกิจในธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD
พนักงานของเราจำนวน 19,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะสร้างยอดขายรายปีในขณะนี้สูงกว่า 700 พันล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) เพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคนทุกที่
อ่านเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html
ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20180125006449/en/
ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
Digital Marketing Department ฝ่ายการตลาดดิจิตัล
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Leave a Reply