News Ticker

Toshiba เปิดตัวมอสเฟตกำลัง Superjunction รุ่นล่าสุด

Logo

– อุปกรณ์ชิ้นใหม่นี้มาพร้อมประสิทธิภาพในการจ่ายไฟที่มากกว่าเดิม

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–20 สิงหาคม 2561

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) เปิดตัวมอสเฟตกำลังซีรีส์ใหม่ล่าสุด ขนาด 650V ซึ่งพัฒนาขึ้นสำหรับใช้กับอุปกรณ์จ่ายไฟให้กับดาต้าเซนเตอร์ อุปกรณ์ปรับคุณภาพไฟจากพลังงานแสงอาทิตย์ เครื่องสำรองไฟ (UPS) และเครื่องมืออุตสาหกรรมอื่น ๆ

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20180819005032/en/

Toshiba: Next-generation superjunction power MOSFET "TK040N65Z," the first device in DTMOS VI series ...

Toshiba: มอสเฟตกำลัง Superjunction รุ่น "TK040N65Z" เป็นผลิตภัณฑ์ชิ้นแรกจากซีรีส์ DTMOS VI (รูปภาพ: Business Wire)

ผลิตภัณฑ์ชิ้นแรกจากซีรีส์ DTMOS VI มาพร้อมกับรหัส TK040N65Z และแรงดันไฟขนาด 650V รองรับกระแสเดรน (ID) ได้แบบต่อเนื่องถึง 57A และ 228A เมื่อมีการเคลื่อนที่ (IDP) ผลิตภัณฑ์รุ่นใหม่ล่าสุดนี้มีความต้านทานเมื่อแหล่งจ่ายกระแสเดรนมีสถานะในช่วงเปิด RDS(ON) ที่ต่ำมากเพียง 0.04Ω (0.033Ω typ.) ซึ่งช่วยลดกำลังการสูญเสียของอุปกรณ์ ผลิตภัณฑ์นี้เหมาะสำหรับการใช้งานกับอุปกรณ์จ่ายไฟแบบไฮสปีดที่มีความทันสมัย เนื่องจากได้รับการออกแบบให้มีประจุกระแสไฟฟ้าลดลง

นอกจากนี้ ยังมาพร้อมประสิทธิภาพในการจ่ายไฟที่ดีขึ้น เป็นผลจากการกำหนดดัชนีบ่งชี้ผลการดําเนินงาน/ตัวเลขแสดงคุณสมบัติ (FoM) ได้แก่ RDS(ON) x Qgd ให้ต่ำลง อุปกรณ์รุ่น TK040N65Z ปรับปรุงตัวเลขที่มีความสำคัญเหล่านี้ให้ดีขึ้น 40% เมื่อเทียบกับอุปกรณ์รุ่น DTMOS IV-H ที่เปิดตัวไปก่อนหน้านี้ ซึ่งแสดงถึงประสิทธิภาพในการจ่ายไฟที่มากขึ้นอย่างมีนัยสำคัญที่ประมาณ 0.36%[1] จากการวัดค่าด้วยวงจร PFC ขนาด 2.5kW

อุปกรณ์รุ่นใหม่นี้บรรจุอยู่ในแพ็คเกจ TO-247 ที่ได้มาตรฐานอุตสาหกรรม สามารถใช้ได้กับการออกแบบในปัจจุบันและโครงการใหม่ ๆ ในอนาคต

Toshiba จะยังคงเดินหน้าขยายไลน์ผลิตภัณฑ์ตามแนวโน้มของตลาด และปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบและอุปกรณ์จ่ายไฟให้ดียิ่งขึ้น

บริษัทได้เริ่มเดินสายการผลิตอุปกรณ์รุ่นใหม่ในวันนี้ และจะทำการจัดส่งในทันที

การใช้งาน

  • ศูนย์ข้อมูล (แหล่งจ่ายไฟฟ้าให้เซิร์ฟเวอร์ เป็นต้น)
  • อุปกรณ์ปรับคุณภาพไฟจากเครื่องกำเนิดไฟฟ้าโฟโตโวลตาอิก
  • เครื่องสำรองไฟฟ้าและปรับแรงดันไฟฟ้าอัตโนมัติ

คุณสมบัติ

  • RDS(ON) × Qgd ลดลง ทำให้มีการสลับการจ่ายไฟ เพื่อประสิทธิภาพที่มากขึ้น

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(@Ta=25oC)

หมายเลขชิ้นส่วน

แพ็คเกจ

อัตราการใช้งานสูงสุด

ความต้านทานแหล่งจ่ายกระแสเดรนที่มีสถานะในช่วงเปิด RDS(ON) สูงสุด

@VGS=10 V

(Ω)

ประจุขาเกทรวม

Qg

typ.

(nC)

ประจุระหว่างขาเกทและขาเดรน

Qgd

typ.

(nC)

ความจุไฟฟ้าขาเดรน

Ciss

typ.

(pF)

ซีรีส์

ก่อนหน้า

(DTMOS IV-H)

หมายเลขชิ้นส่วน

ตรวจสอบสต็อก & ซื้อสินค้า

แรงดันระหว่างขาเดรนและซอร์ส

VDSS

(V)

กระแสเดรน

(DC)

ID

(A)

TK040N65Z

TO-247

650

57

0.040

105

27

6250

TK62N60X

ซื้อทางออนไลน์

หมายเหตุ:
[1] ข้อมูล ณ มิถุนายน 2561 วัดค่าโดย Toshiba (โดยใช้วงจร PFC ขนาด 2.5kW กระแสไฟขาออก=2.5kW)

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับกลุ่มผลิตภัณฑ์ Toshiba 400-900V MOSFET ทั้งหมดได้ที่ลิงก์ด้านล่างนี้
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/hv-mosfet.html

ตรวจสอบสถานะในคลังสินค้าของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ศูนย์กระจายสินค้าออนไลน์ได้ที่ลิงก์ด้านล่างนี้
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.TK040N65Z.html

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์กำลัง
โทร: +81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ ล้วนถูกต้องในวันประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นบริษัทใหม่ที่เต็มไปด้วยพลังและประสบการณ์ นับตั้งแต่แยกตัวออกจากบริษัทเมื่อเดือนกรกฎาคม ปี 2017 เราได้ก้าวสู่การเป็นหนึ่งในบริษัทผู้นำด้านอุปกรณ์ทั่วไป และได้นำเสนอโซลูชันเกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ ระบบ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเรา

เรามีพนักงานจำนวน 19,000 คนทั่วโลก ซึ่งมีความตั้งใจร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะเพิ่มยอดขายต่อปีซึ่งปัจจุบันมีมูลค่ากว่า 700 พันล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ให้สูงขึ้น เพื่อสร้างอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน
ดูเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับที่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20180819005032/en/

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Be the first to comment

Leave a Reply

Your email address will not be published.


*


Protected with IP Blacklist CloudIP Blacklist Cloud