News Ticker

Toshiba เปิดตัว Power MOSFET ชนิด N-channel 40V ในแพ็คเกจใหม่สำหรับยานยนต์

Logo

— ลดความต้านทาน on-resistance ด้วยการใช้แพ็คเกจความต้านทานต่ำขนาดเล็ก

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–11 เมษายน 2018

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัวมอสเฟตรุ่นใหม่สองรุ่น ประกอบด้วยรุ่น “TPHR7904PB” และ “TPH1R104PB” ในแพ็คเกจ SOP Advance (WF) ขนาดเล็กที่มีความต้านทานต่ำ เป็นอีกผลิตภัณฑ์ที่เข้ามาเติมเต็มซีรีส์มอสเฟตกำลัง ชนิด N-channel 40V สำหรับยานยนต์ เริ่มเดินสายการผลิตแล้ววันนี้

ข่าวประชาสัมพันธ์นี้มีมัลติมีเดียประกอบ สามารถดูฉบับเต็มได้ ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20180411005580/en/

Toshiba: Automotive 40V N-channel power MOSFET "TPHR7904PB" and "TPH1R104PB" housed in the small low ...

Toshiba: มอสเฟตกำลัง ชนิด N-channel 40V สำหรับยานยนต์ รุ่น "TPHR7904PB" และ "TPH1R104PB" ในแพ็คเกจ SOP Advance (WF) ขนาดเล็กที่มีความต้านทานต่ำ (รูปภาพ: Business Wire)

สำหรับมอสเฟตรุ่นใหม่นี้ผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี trench U-MOS IX-H process เจเนอเรชันที่ 9 ซึ่งเป็นเจเนอเรชันล่าสุด บรรจุในแพ็คเกจขนาดเล็กที่มีแรงต้านทาน on-resistance ต่ำ สามารถช่วยลดความร้อนที่เกิดจากการนำกระแสตามปกติ (conduction loss) ได้ นอกจากนี้ การออกแบบของ U-MOS IX-H ยังทำให้สัญญาณรบกวนสวิตช์ลดลงเมื่อเทียบกับการออกแบบของ Toshiba ก่อนหน้า (U-MOS IV) และยังช่วยลดการรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้า (EMI) ได้อีกด้วย

แพ็คเกจ SOP Advance (WF) มีโครงสร้างแบบ flank terminal และโดนน้ำได้ ซึ่งจะมีการตรวจสอบการทำงานโดยอัตโนมัติ (AOI) หลังจากมีการบัดกรีแล้ว

การใช้งาน

  • พวงมาลัยไฟฟ้า (EPS)
  • สวิตช์โหลด
  • ปั๊มไฟฟ้า

คุณสมบัติ

  • ความต้านทาน on-resistance สูงสุด RDS(ON) สูงสุด ที่ 0.79 mΩ จากการใช้กระบวนการ U-MOS IX-H และแพ็คเกจ SOP Advance(WF)
  • สัญญาณรบกวนต่ำ ช่วยลดการเกิดการรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้า (EMI)
  • บรรจุในแพ็คเกจขนาดเล็กที่มีความต้านทานต่ำ พร้อมโครงสร้างแบบ flank terminal ที่โดนน้ำได้

ข้อมูลจำเพาะ

(@Ta=25°C หากมิได้ระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

หมายเลขชิ้นส่วน

สัญญาณขาออก-สัญญาณขาเข้า

แรงดันไฟฟ้า

VDSS

(V)

สัญญาณขาออก

กระแส

(DC)

ID

(A)

สัญญาณขาออก-สัญญาณขาเข้า

ความต้านทาน on-resistance

 

RDS(ON) สูงสุด (mΩ)

มีซีเนอร์ไดโอดในตัว

ระหว่าง

เกต-สัญญาณขาเข้า

ซีรีส์

@VGS=6V

@VGS=10V

TPH1R104PB

40

120

1.96

1.14

No

U-MOS IX

TPHR7904PB

150

1.3

0.79

No

U-MOS IX

ไปยังลิงค์ด้านล่างเพื่อดูผลิตภัณฑ์มอสเฟตอื่นๆ
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet.html

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:
แผนก Power Device Sales & Marketing
โทร: +81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาผลิตภัณฑ์และข้อมูลจำเพาะ เนื้อหาด้านการบริการและข้อมูลในการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ ซึ่งอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นบริษัทใหม่ที่เต็มไปด้วยพลังและประสบการณ์ นับตั้งแต่แยกตัวออกจากบริษัทเมื่อเดือนกรกฎาคม ปี 2017 เราได้ก้าวสู่การเป็นหนึ่งในบริษัทผู้นำด้านอุปกรณ์ทั่วไป และได้นำเสนอโซลูชันเกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ ระบบ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเรา

เรามีพนักงานจำนวน 19,000 คนทั่วโลก ซึ่งมีความตั้งใจร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะเพิ่มยอดขายต่อปีซึ่งปัจจุบันมีมูลค่ากว่า 700 พันล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ให้สูงขึ้น เพื่อสร้างอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับ ที่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20180411005580/en/

สอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
แผนก Digital Marketing
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Be the first to comment

Leave a Reply

Your email address will not be published.


*


Protected with IP Blacklist CloudIP Blacklist Cloud