Toshiba วางจำหน่ายวงจรขับเกตมอสเฟตใหม่ที่จะช่วยลดฟุตพริ้นท์ของอุปกรณ์

Logo

– ผลิตภัณฑ์ซีรีส์ TCK42xG รองรับการเชื่อมต่อแบบหลังชนหลังของมอสเฟตชนิด N-channel ที่ใช้ภายนอก –

คาวาซากิ, ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–09 กุมภาพันธ์ 2565

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") ได้วางจำหน่ายผลิตภัณฑ์รุ่น “TCK421G” สำหรับสายไฟขนาด 20V โดยเป็นผลิตภัณฑ์ชิ้นแรกจาก “ซีรีส์ TCK42xG” ใหม่ของวงจรขับเกตมอสเฟต อุปกรณ์จากซีรีส์นี้ออกแบบมาเพื่อการควบคุมแรงดันเกตของมอสเฟตชนิด N-channel ที่ใช้ภายนอก โดยอิงจากแรงดันขาเข้าและมีฟังก์ชันหยุดการทำงานเมื่อแรงดันเกินด้วย การจัดส่งสู่ตลาดจะเริ่มต้นในวันนี้

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้มีเนื้อหามัลติมีเดีย ดูอย่างเต็มรูปแบบที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20220208005552/en/

Toshiba: a new MOSFET gate driver IC TCK421G that will help to reduce device footprints. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: วงจรขับเกตมอสเฟตรุ่น TCK421G ใหม่ที่จะช่วยลดฟุตพริ้นท์ของอุปกรณ์ (กราฟิก: Business Wire)

TCK421G เหมาะสำหรับกำหนดค่าวงจรมัลติเพล็กซ์หรือวงจรตัดการจ่ายไฟที่มีการบล็อกกระแสย้อนกลับร่วมกับการเชื่อมต่อแบบหลังชนหลังของมอสเฟตชนิด N-channel แบบใช้ภายนอก ประกอบด้วยวงจรอัดประจุที่รองรับแรงดันขาเข้าที่กว้างตั้งแต่ 2.7 โวลต์ ถึง 28 โวลต์ และเป็นแหล่งจ่ายไฟที่เสถียรให้กับแรงดันระหว่างขั้วเกต-ซอร์สของมอสเฟตภายนอกโดยมีการทำงานเป็นพัก ๆ (intermittent operation) ซึ่งทำให้สามารถสลับกระแสที่มีปริมาณมากได้

TCK421G มาในแพ็คเกจ WCSP6G[1] ซึ่งเป็นหนึ่งในแพ็คเกจที่เล็กที่สุดในอุตสาหกรรม[2] และยังคำนึงถึงการติดตั้งโดยใช้พื้นที่อย่างคุ้มค่าในอุปกรณ์ขนาดเล็กอย่างเช่นอุปกรณ์สวมใส่อัจฉริยะและสมาร์ทโฟน ซึ่งช่วยลดฟุตพรินต์ของอุปกรณ์เหล่านั้น

Toshiba จะยังคงพัฒนาผลิตภัณฑ์ซีรีส์ TCK42xG ต่อพร้อมเตรียมเปิดตัวผลิตภัณฑ์อีกทั้งหมด 6 เวอร์ชัน ฟังก์ชันหยุดการทำงานเมื่อแรงดันเกินของซีรีส์ TCK42xG จะรองรับแรงดันขาเข้าตั้งแต่ 5 โวลต์ ถึง 24 โวลต์ นอกจากนี้จะมีแรงดันขาออกให้เลือกสองระดับ ได้แก่ 5.6 โวลต์ และ 10 โวลต์ เพื่อเลือกใช้กับแรงดันระหว่างขั้วเกต-ซอร์สแบบต่าง ๆ ในมอสเฟตภายนอก นอกจากนี้ยังสามารถเลือกฟังก์ชันหยุดการทำงานเมื่อแรงดันเกินและแรงดันขาออกได้ตามอุปกรณ์ของผู้ใช้ด้วย

หมายเหตุ:
[1] 1.2 มม. x 0.8 มม.
[2] ในบรรดาวงจรขับเกตมอสเฟต อ้างอิงจากการสำรวจของ Toshiba เมื่อเดือนกุมภาพันธ์ 2565

การใช้งาน

  • อุปกรณ์สวมใส่อัจฉริยะ (Wearables)
  • สมาร์ทโฟน
  • คอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊ก, แท็บเลต
  • อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล และอื่น ๆ

คุณสมบัติของซีรีส์ใหม่

  • การตั้งค่าแรงดันระหว่างขั้วเกต-ซอร์ส (5.6 โวลต์, 10 โวลต์) ซึ่งขึ้นอยู่กับแรงดันขาเข้า พร้อมวงจรอัดประจุที่มีมาในตัว
  • ฟังก์ชันหยุดการทำงานเมื่อแรงดันเกินรองรับที่ 5 โวลต์ ถึง 24 โวลต์
  • แรงดันขาเข้าเมื่อมีการตัดวงจรต่ำ: IQ(OFF)= 0.5μA (สูงสุด) @VIN=5V, Ta= -40 ถึง 85°C

คุณสมบัติจำเพาะหลัก

(Ta=25°C นอกจากจะระบุให้เป็นค่าอื่น)

หมายเลขชิ้นส่วน

TCK421G

แพ็คเกจ

ชื่อ

WCSP6G

ขนาด (มม.)

1.2×0.8 (ทั่วไป.),

t=0.35 (สูงสุด)

ช่วงการทำงาน

แรงดันขาเข้า VIN (V)

@Ta= -40 ถึง 85°C

2.7 ถึง 28

คุณสมบัติ

ทางไฟฟ้า

VIN UVLO ขีดเริ่ม, Vout ขณะลดลง

VIN_UVLO ทั่วไป/สูงสุด (V)

@Ta= -40 ถึง 85°C สำหรับ VIN_UVLO สูงสุด

2.0/2.5

VIN UVLO ฮิสเตอร์เรซิส VIN_UVhyst

ทั่วไป (V)

0.2

VIN OVLO ขีดเริ่ม, Vout ขณะลดล

VIN_OVLO ต่ำสุด/สูงสุด (V)

@Ta= -40 ถึง 85°C

22.34/24.05

VIN OVLO ฮิสเตอร์เรซิส

VIN_OVhyst ทั่วไป (V)

0.12

กระแสเข้าในสภาวะปกติ

(เมื่อใช้งาน) [3]

IQ(ON) ทั่วไป (μA)

@VIN=5V

140

@VIN=12V

185

กระแสในโหมดสแตนด์บาย

(เมื่อไม่มีการใช้งาน)

IQ(OFF) สูงสุด (μA)

@VIN=5V, Ta= -40 ถึง 85°C

0.5

@VIN=12V, Ta= -40 ถึง 85°C

0.9

แรงดันขับเกต

(VGATE1-VIN)

(VGATE2-VIN)

VGS ต่ำสุด/ทั่วไป/สูงสุด

(V)

@VIN=2.7V

8/9.2/10

@VIN=5V

9/10/11

@VIN=9V

9/10/11

@VIN=12V

9/10/11

@VIN=20V

9/10/11

VGS เมื่อใช้งาน

tON ทั่วไป (ms)

@VIN=5V, CGATE1,2=4000pF

2.9

VGS เมื่อไม่มีการใช้งาน

tOFF ทั่วไป (μs)

VIN=5V, @CGATE1,2=4000pF

52

OVLO VGS turn OFF time

tOVP ทั่วไป (μs)

@CGATE1,2=4000pF

34

ตรวจสอบสินค้าตัวอย่างและการวางจำหน่าย

ซื้อออนไลน์

หมายเหตุ:
[3] ไม่รวมกระแสที่เทอร์มินอลควบคุม (ICT)

กดลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TCK421G
TCK42xG Series

ตรวจสอบการวางจำหน่ายผลิตภัณฑ์ใหม่ผ่านตัวแทนจำหน่ายทางออนไลน์ได้ที่:
TCK421G

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-44-548-2215
Contact Us

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ ที่กล่าวถึงในที่นี้อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาเกี่ยวกับบริการ และข้อมูลติดต่อมีความถูกต้องและเป็นปัจจุบันในวันที่ประกาศซึ่งอาจจะมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบ

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ระดับแถวหน้าผู้จัดหาโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บที่มีความก้าวล้ำ รวบรวมประสบการณ์และนวัตกรรมที่สะสมมากว่าครึ่งศตวรรษ เพื่อส่งมอบผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจของเรา

พนักงานทั้ง 22,000 คนจากทั่วโลกของ TDSC มุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีที่สูงกว่า 7.1 แสนล้านเยน (6.5 พันล้านดอลลาร์สหรัฐฯ) ในขณะนี้ TDSC หวังที่จะได้มีส่วนสร้างอนาคตที่ดีกว่าให้กับผู้คนทั่วโลก
เรียนรู้เพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20220208005552/en/

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: +81-44-549-8361
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย