โตชิบาเปิดตัวรุ่นที่สองของไดโอตชอทท์กี้ 650V SiC โดยมีการพัฒนาค่ากระแสเสิร์จของกระแสฟอร์เวิร์ด

โตเกียว–(บิสิเนส ไวร์)–12 มกราคม 2017

บริษัท สตอเรจ แอนด์ อิเล็กทรอนิกส์ ดีไวเซส โซลูชันส์ (Storage & Electronic Devices Solutions Company) ในเครือของโตชิบา คอร์ปอเรชั่น (Tokyo:6502) วันนี้ประกาศเปิดตัวรุ่นที่สองของไดโอตชอทท์กี้ (SBDs) 650V ซิลิกอนคาไบด์ (SiC) ที่พัฒนาค่ากระแสเสิร์จของกระแสฟอร์เวิร์ด (I_FSM) ที่ให้โดยผลิตภัณฑ์ปัจจุบันของบริษัทอยู่ที่ประมาณ 70% การส่งออกของไลน์อัพใหม่ของไดโอตชอทท์กี้ SiC 8 ไดโอตได้เริ่มขึ้นตั้งแต่วันนี้

สามารถรับชมข่าวในรูปแบบมัลติมีเดียที่: http://www.businesswire.com/news/home/20170112005407/en/

โตชิบา: รุ่นที่สองของไดโอตชอทท์กี้ 650V SiC โดยมีการพัฒนาค่ากระแสเสิร์จของกระแสฟอร์เวิร์ด (รูปภาพ: บิสิเนส ไวร์)

ไดโอตชอทท์กี้ SiC ใหม่นี้ได้ถูกสร้างด้วยกระบวนการ SiC รุ่นที่สองของโตชิบา โดยให้ค่ากระแสเสิร์จของกระแสฟอร์เวิร์ดได้มากกว่า 70% ของผลิตภัณฑ์รุ่นแรก และในขณะเดียวกันก็ลดการสูญเสียสวิตชชิ่งของ “R_ON * Qc” ^[1] อยู่ที่ประมาณ 30% ทำให้มันเหมาะสมในการใช้ในการปรับปรุงค่าตัวประกอบกําลังไฟฟ้า (power factor correction: PFC) ที่มีประสิทธิภาพ ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้มีกระแสเรตติ้ง 4 แบบ คือ 4A, 6A, 8A และ 10A ซึ่งอยู่ในแพกเกจที่ไม่แยก “TO-220-2L” และแยก “TO-220F-2L” ผลิตภัณฑ์เหล่านี้สามารถทำให้เกิดการพัฒนาประสิทธิภาพของการจ่ายพลังงานในอุปกรณ์ รวมถึงทีวี LCD 4K ขนาดใหญ่ โปรเจ็กเตอร์ และเครื่องถ่ายเอกสารแบบเอนกประสงค์ และอุปกรณ์ในอุตสาหกรรมเช่นสถานีฐานของการคมนาคมสื่อสารและเซอร์เวอส์ PC

ไลน์อัพและสเป็คหลักของไดโอตชอทท์กี้ SiC รุ่นใหม่:
แพ็กเกจ		ลักษณะ (Ta=25℃)		เรตติ้ง absolute สูงสุด						ลักษณะทางไฟฟ้า
				Forward DC Current		Non-repetitive Peak Forward Surge Current		Power Dissipation		Forward Voltage		Anode-cathode On-resistance		Junction Capacitance		Total Capacitive Charge
		Symbol		IF(DC)		IFSM		Ptot		VF		RON		Cj		QC
		Value		Max		Max		Max		Typ. & Max		Typ.		Typ.		Typ.
		Unit		(A)		(A)		(W)		(V)		(mΩ)		(pF)		(nC)
		Test Conditions / Part Number		－		@ Half-sine Wave t = 10 ms		－		@ IF(DC)		@ IF(DC) × 0.25 to 1.0		@ VR= 1V		@VR= 400V
Non-Isolation		TRS4E65F		4		39		55.6		1.45 (Typ.)		120		165		10.4
		TRS6E65F		6		55		68.2				82		230		15.1
TO-220 -2L		TRS8E65F		8		69		83.3		1.6 (Max)		62		300		19.7
		TRS10E65F		10		83		107				48		400		24.4
Isolation		TRS4A65F		4		37		33.6		1.45 (Typ.)		120		165		10.4
		TRS6A65F		6		52		35.4				82		230		15.1
TO-220F -2L		TRS8A65F		8		65		37.5		1.6 (Max)		62		300		19.7
		TRS10A65F		10		79		39.7				48		400		24.4

หมายเหตุ

[1] R_ON: Anode-cathode on-resistance, Qc: Total capacitive charge

คลิกลิ้งค์ด้านล่าสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับโตชิบา SiC ไดโอตชอทท์กี้

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/diode/sic.html

ลูกค้าติดต่อ:

Power Device Sales & Marketing Department

โทร: +81-3-3457-3933

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

*ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาการบริการและข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ และอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับโตชิบา

โตชิบา คอร์ปอเรชั่น หนึ่งในบริษัท Fortune Global 500 นำเสนอผลิตภัณฑ์ไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิกส์อันล้ำสมัย รวมถึงระบบต่างๆ ใน 3 กลุ่มธุรกิจหลัก ได้แก่ พลังงาน (Energy) เพื่อทุกวันของชีวิตที่สะอาดและปลอดภัยขึ้นอย่างยั่งยืน, โครงสร้างพื้นฐาน (Infrastructure) เพื่อคุณภาพชีวิตที่ยั่งยืน และการจัดเก็บข้อมูล (Storage) เพื่อสนับสนุนสังคมแห่งข้อมูลข่าวสารที่ก้าวล้ำ โตชิบาส่งเสริมการดำเนินงานทั่วโลก และสนับสนุนการสร้างสรรค์โลกเพื่อชีวิตที่ดีขึ้นของคนรุ่นต่อๆ ไป ภายใต้รากฐานความมุ่งมั่นของโตชิบา กรุ๊ป ที่ว่า “ความมุ่งมั่นต่อประชากร, ความมุ่งมั่นต่ออนาคต”

โตชิบาก่อตั้งขึ้นในโตเกียวเมื่อปี 1875 และปัจจุบันเป็นศูนย์กลางของกลุ่มบริษัทในเครือกว่า 550 แห่ง ด้วยจำนวนพนักงาน 188,000 คนทั่วโลก และยอดขายต่อปีกว่า 5.6 ล้านล้านเยน (5 หมื่นล้านดอลลาร์สหรัฐ) (ณ วันที่ 31 มีนาคม 2016)

สามารถดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับโตชิบาได้ที่ www.toshiba.co.jp/index.htm

สามารถรับชมข่าวต้นฉบับได้ที่ businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20170112005407/en/

สื่อมวลชนติดต่อ:

Toshiba Corporation

Storage & Electronic Devices Solutions Company

Digital Marketing Department

Koji Takahata, +81-3-3457-4963

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp